Au cours de ses 20 années d'existence, IBS a toujours prôné la mise en application des derniers progrès scientifiques aux exigences quotidienne de la production. IBS demeure ainsi à la pointe de la recherche dans la techologie du semiconducteur et dans le développement d'applications et de de services pour exploiter les nouvelles techniques.

Ressources
En comptant 70% de diplômés universitaires dont 10% titulaires d’un doctorat parmi ses effectifs, IBS met un point d’honneur à assurer en permanence une formation continue à ses salariés afin de demeurer au courant des dernières avancées dans le domaine du semiconducteur.

Les domaines d'expertise d'IBS:

• Traitement par plasma et faisceau d'ions
• Dopage des semiconducteurs
• Equipement de faisceau d'ions et services associés
• "Process" Microelectroniques
• Composants de puissance

Equipements
Grâce à ses 2 sites situés à Peynier en France et à Bathgate en Ecosse, IBS dispose de nombreux équipements répartis entre ses 2 salles blanches (classes 10 et 100) :

• 8 implanteurs, dont un exclusivement dédié aux travaux R&D
• 2 implanteurs dédiés aux implantations à très basse énergie
• 4 équipements de dépôt de couches minces et 3 de gravure plasma
• 8 fours à diffusion haute température  
• Equipement de photo-lithogravure
• Ensemble d'équipements de tests et de contrôles .

En tant que membre de CIMPACA (Centre Intégré de Microélectronique Provence Alpes Côtes d’Azur), IBS a accès à des outils à la pointe de la technologie pour la caractérisation des matériaux semiconducteurs, tels que SIMS, Micro Auger, TEM, SEM, XPS, AFM.

Recherche & Développement
Grâce au développement de la technologie PULSION, IBS a fait évolué son activité de rénovation d’équipements vers la conception et la fabrication d’implanteurs. En plus de PULSION 300mm, IBS peut également concevoir des implanteurs spécifiquement adaptés aux exigences de la R&D et des substrats de petites tailles (≤ 150 mm) :

• une large gamme d’ions implantés
• tous types de substrats (forme et matériaux)
• substrats refroidis ou chauffés

Actuellement, les travaux de recherches menés au sein d’IBS se concentrent sur 2 axes :

• Le développement de nouveaux implanteurs d’ions adaptés à la micro et nanoélectronique, aux nanotechnologies et aux traitements de surface
• Les Composants électroniques spécifiques (SiC, équipement et capteurs haute tension)

IBS IBS est une société dynamique et prête à coopérer sur des projets avec des sociétés dans des domaines tels que les implantations spéciales, ...

Partenariat
IBS bénéficie également du support d’ARCSIS (Association pour la recherche sur les composants et les systèmes intégrés sécurisés). Ce partenariat permet aux communautés scientifiques, techniques et industrielles de mettre en place des projets communs, de stimuler l’innovation et de valoriser les savoir-faire.
IBS coopère régulièrement avec de nombreux laboratoires au travers d’accords réciproques ou programmes nationaux et internationaux.
Lorsqu’IBS développa la technique de la source plasma et de la polarisation électrique, les meilleurs laboratoires européens furent associés à ces travaux de recherche (TECSEN, LPIIM, LP3…).
IBS participe actuellement à de nombreux programmes de développement coopératif majeurs, tels que FP6 SEANET et PULLNANO (avec STMicroelectronics, NXP, Infineon, LETI et IMEC). De plus, IBS a déposé 6 brevets durant les 5 dernières années et fut récompensé par le trophée 2006 de l’innovation INPI.
Les spécialistes d’IBS ont co-publiés plus de 40 articles en résultat de cette collaboration (liste de ces publications).